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前沿光伏技術(shù)之激子倍增——讓光生載流子倍增的太陽煉金術(shù)(二)

2025-07-11 14:30 來源:中國企業(yè)網(wǎng) 次閱讀
 
前沿光伏技術(shù)之激子倍增——讓光生載流子倍增的太陽煉金術(shù)(二)

上期文章筆者已經(jīng)對激子倍增技術(shù)原理進行了淺析,本期將從激子倍增技術(shù)的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)出發(fā),著重介紹激子倍增技術(shù)的應(yīng)用,尤其是在光伏領(lǐng)域中的應(yīng)用。

自從20世紀(jì)50年代在半導(dǎo)體材料中發(fā)現(xiàn)載流子倍增現(xiàn)象[1],激子倍增(MEG)技術(shù)得到快速發(fā)展,為突破傳統(tǒng)光伏器件的肖克利-奎伊瑟效率極限提供了新方向。該技術(shù)的核心優(yōu)勢在于顯著提升光電轉(zhuǎn)化效率,激子倍增電池理論效率可超過44%[2]。然而,其發(fā)展面臨多重挑戰(zhàn):需攻克材料穩(wěn)定性、激子在界面能量損失等難題。目前,激子倍增技術(shù)已在第三代光伏器件中展現(xiàn)良好的應(yīng)用前景,有望重塑光伏產(chǎn)業(yè)格局。

一、激子倍增技術(shù)的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)

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表一?激子倍增電池和傳統(tǒng)晶硅電池對比

相比傳統(tǒng)的晶硅電池,激子倍增電池的優(yōu)勢在于高的理論效率(帶隙0.7 eV,激子6倍倍增時,效率44.4%)[2]。但是,激子倍增電池的不足之處也同樣明顯。首先,激子倍增材料包括PbSe量子點、?PbS量子點、CdSe量子點和并四苯、并五苯等。其中,量子點材料在濕度、熱、紫外光照條件下并不穩(wěn)定[3],并五苯暴露在空氣和光下會分解[4]。其次,激子倍增材料產(chǎn)生更多激子的同時,激子壽命(10-100 ps)比正常光伏材料(10-100 ns)更短,需要更快地將載流子分離與收集[5]。這對電池的材料與結(jié)構(gòu)提出了新的要求。最后,相比硅材料,部分激子倍增材料帶隙偏大,例如并四苯(3.0 eV)[6]、并五苯(1.9 eV)[7],導(dǎo)致光吸收范圍變窄。

二、激子倍增技術(shù)的應(yīng)用場景

單純的MEG電池,以及單純的傳統(tǒng)晶硅電池,都存在自身的限制。但將兩種材料組合,就有希望進一步突破晶硅電池的理論效率極限?;谶@個思路,Einzinger等設(shè)計了一種并四苯敏化的BC電池(圖1a)[8]。高能光子被并四苯分子吸收,產(chǎn)生單線態(tài)激子,并最終分裂成兩個三線態(tài)激子。激子通過0.8 nm?氮氧化鉿(HfOxNy)薄膜進入BC電池,最終轉(zhuǎn)化成電流。使用超薄膜層來傳輸激子的設(shè)想最初來源于物理學(xué)家David Dexter[9]。超薄膜層能實現(xiàn)有效激子轉(zhuǎn)移,但往往無法實現(xiàn)對晶硅等半導(dǎo)體的有效鈍化。Einzinger等工作的亮點在于發(fā)現(xiàn)了HfOxNy這種有效的超薄鈍化層。雖然Einzinger等制備的太陽電池效率不高,有許多需要優(yōu)化的部分,但該工作為我們展現(xiàn)了激子倍增材料敏化BC電池巨大的應(yīng)用潛力(理論效率35%)[10]。2025年5月,Baldo等進一步優(yōu)化了激子倍增材料敏化晶硅電池結(jié)構(gòu),相關(guān)文章發(fā)表在Joule上[11]。該工作的亮點是在并四苯和硅之間引入氧化鋁(AlOx)和酞菁鋅(ZnPc)。N型硅的導(dǎo)帶底和ZnPc的最高分子占據(jù)軌道組成的電荷分離態(tài)能量為1.2 eV,位于并四苯的三線態(tài)能量(1.25 eV)和晶硅的帶隙(1.1 eV)之間(圖1b),促進電荷從并四苯向晶硅連續(xù)傳輸。1 nm厚度的AlOx用于阻止載流子在晶硅表面復(fù)合。最終,并四苯吸收的光子,最高電荷轉(zhuǎn)換效率達到138%,遠遠超過了傳統(tǒng)晶硅太陽電池的量子效率極限。

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圖1 (a)并四苯敏化BC電池結(jié)構(gòu)示意圖[12], (b)?并四苯敏化晶硅電池能級圖[11]

除了上述方案,將MEG材料與其他光伏材料組成多結(jié)(疊層)電池也是一種可行的提效路徑。Lee?等使用細(xì)致平衡理論計算了不同帶隙硅量子點(MEG)電池的理論效率。另外,根據(jù)他們的計算結(jié)果,MEG (6.9 nm?硅量子點(1.38 eV))和其他材料組成的兩結(jié)電池(InAs(0.57eV)分別作為頂、底電池的吸光材料),理論效率高達47.8%。[13]

三、激子倍增技術(shù)的總結(jié)與展望

激子倍增技術(shù)通過量子效應(yīng)突破傳統(tǒng)效率瓶頸,但其產(chǎn)業(yè)化仍需解決材料穩(wěn)定性、載流子輸運等核心問題。未來研究方向包括:

■1.?材料設(shè)計:開發(fā)高穩(wěn)定性的MEG材料;

?■2.?界面工程:優(yōu)化MEG材料/電極界面,促進額外激子的提取和收集;?

?■3.?組合應(yīng)用:使用MEG材料強化BC電池 或者與BC電池組成疊層電池,獲得更高的光伏效率。

愛旭研發(fā)團隊長期關(guān)注MEG材料、器件的研究進展。我們相信,隨著材料科學(xué)和超快光譜技術(shù)的進步,MEG及其相關(guān)技術(shù)有望未來實現(xiàn)商業(yè)化應(yīng)用,推動光伏效率邁向40%以上的新紀(jì)元。

參考文獻:

[1] K. G. McKay and K. B. McAfee, Electron Multiplication in Silicon and Germanium, Phys. Rev. 1953, 91, 1079.

[2] M. C. Hanna, A. J. Nozik et al. Solar conversion efficiency of photovoltaic and photoelectrolysis cells with carrier multiplication absorbers, J. Appl. Phys., 2006, 100, 074510.

[3] Y. Y. W, H. W, H. T. G et al. Hybrid Thin Film Encapsulation for Improving the Stability

of PbS Quantum Dot Solar Cells, Small, 2024, 2404984.

[4] P. R. Rami, Sterically-Hindered Derivatives of Pentacene: Synthesis, Properties, and Stability, 2019.

[5] C. Smith and D. Binks, Multiple Exciton Generation in Colloidal Nanocrystals, nanomaterials, 2014, 4, 19-45.

[6] P. J. Jadhav, A. Mohanty, J. Sussman et al. Singlet Exciton Fission in Nanostructured Organic Solar Cells, Nano Lett. 2011, 11, 1495.

[7] D. N. Congreve, J. Lee, N. J. Thompson, External Quantum Efficiency Above 100% in a Singlet-Exciton-Fission–Based Organic Photovoltaic Cell, Science, 2013, 340, 334.

[8] M. Einzinger, T. Wu and J. F. Kompalla et al. Sensitization of silicon by singlet exciton fission in tetracene, Nature, 2019, 571, 90–94.

[9] D. L. Dexter, Two ideas on energy transfer phenomena: Ion-pair effects involving the OH stretching mode, and sensitization of photovoltaic cells, J. Lumin. 1979, 18–19, 779–784.

[10] A. Rao, R. H. Friend, Harnessing singlet exciton fission to break the Shockley–Queisser limit, Nat. Rev. Mater. 2017, 2, 17063.

[11] N. Nagaya, K. Lee and C. F. Perkinson et al. Exciton fission enhanced silicon solar cell, Joule, DOI: 10.1016/j.joule.2025.101965.

[12] J. M. Luther and J. C. Johnson, An exciting boost for solar cells, Nature, News & Views, 2019, 38-39.

[13] J. W. Lee, S. M. Goodnick and C. B. Honsberg, Limiting efficiency of silicon based nanostructure solar cells for multiple exciton generation, 2013 IEEE 39th Photovoltaic Specialists Conference (PVSC), 2013, 16-21.

作者:愛旭研發(fā)中心

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